SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
PNY CS2342 1 TBvsMSI Spatium M482 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
89우세
70
내구성
75
75
기능
77
77
효율
—
100
한눈에 보는 결론PNY CS2342 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. 내구성·기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 8 Tbit
2 chips @ 4 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB
1 TB 2 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Mar 25th, 2025
Dec 2023
제품 번호
M230CS2342-1TB-TB
정보 없음
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2242 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
프로토콜
정보 없음
NVMe 1.4
소비전력
정보 없음
0.05 W (Idle) Unknown (Avg) 5.6 W (Max)
제조사
Kioxia
Kioxia
모델명
BiCS6
BiCS6
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R5
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
트리플 코어
트리플 코어
동작 속도
1,200 MHz
1,200 MHz
파운드리
TSMC FinFET
TSMC FinFET
제조 공정
12 nm
12 nm
플래시 채널
4 @ 3,600 MT/s
4 @ 3,600 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
HMB (enabled)
종류
없음
없음
적층 기술
162-layer
162-layer
속도
2400 MT/s
2400 MT/s
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
98 mm² (10.4 Gbit/mm²)
98 mm² (10.4 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit
4 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
2
워드라인
184 per NAND String 88.0% Vertical Efficiency
184 per NAND String 88.0% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
65 µs
65 µs
프로그램 시간(tProg)
400 µs
400 µs
다이 읽기 속도
1280 MB/s
1280 MB/s
다이 쓰기 속도
160 MB/s
160 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles
3000 P/E Cycles
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
3660 Pages
3660 Pages
플레인 크기
2430 Blocks
2430 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
64 MB
순차 읽기
7,300 MB/s우세
7,200 MB/s
순차 쓰기
6,000 MB/s
6,400 MB/s우세
랜덤 읽기
정보 없음
1,000,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음
850,000 IOPS
쓰기 내구성
600 TBW
600 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
1.5 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.3
SLC 쓰기 캐시
지원
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
TCG Pyrite
TCG Pyrite
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
출시 가격
—
109 USD