SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
PNY CS2342 1 TBvsCorsair MP600 GS 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
89우세
47
내구성
75
75
기능
77
77
효율
—
89
한눈에 보는 결론PNY CS2342 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. 내구성·기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 8 Tbit
정보 없음
용량 옵션
1 TB 2 TB
500 GB 1 TB 2 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Mar 25th, 2025
Nov 2nd, 2022
제품 번호
M230CS2342-1TB-TB
CSSD-F1000GBMP600GS
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2242 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
프로토콜
정보 없음
NVMe 1.4
소비전력
정보 없음
Unknown (Idle) Unknown (Avg) 4.3 W (Max)
제조사
Kioxia
Micron
모델명
BiCS6
B47R FortisFlash
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R5
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
트리플 코어
트리플 코어
동작 속도
1,200 MHz
1,000 MHz
파운드리
TSMC FinFET
TSMC
제조 공정
12 nm
12 nm
플래시 채널
4 @ 3,600 MT/s
4 @ 1,600 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
HMB (enabled)
종류
없음
없음
적층 기술
162-layer
176-layer
속도
2400 MT/s
1200 MT/s .. 1600 MT/s
셀 구조
Charge Trap
Replacement Gate
다이 면적
98 mm² (10.4 Gbit/mm²)
50 mm² (10.2 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit
—
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
2
워드라인
184 per NAND String 88.0% Vertical Efficiency
195 per NAND String 90.3% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
65 µs
56 µs
프로그램 시간(tProg)
400 µs
502 µs
다이 읽기 속도
1280 MB/s
1143 MB/s
다이 쓰기 속도
160 MB/s
127 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles
3000 P/E Cycles (40000 in SLC Mode)
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
3660 Pages
2112 Pages
플레인 크기
2430 Blocks
550 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
64 MB
순차 읽기
7,300 MB/s우세
4,800 MB/s
순차 쓰기
6,000 MB/s우세
3,900 MB/s
랜덤 읽기
정보 없음
580,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음
800,000 IOPS
쓰기 내구성
600 TBW
600 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
1.5 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.3
SLC 쓰기 캐시
지원
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
TCG Pyrite
AES-256
RGB 조명
미지원
정보 없음
PS5 호환
지원
지원
출시 가격
—
93 USD
ONFI 규격
—
4.1
블록 삭제 시간(tBERS)
—
15 ms