SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
PNY CS2150 1 TBvsPNY XLR8 CS3030 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
66
93우세
내구성
75우세
65
기능
74
83우세
효율
—
—
한눈에 보는 결론PNY CS2150 1 TB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. PNY XLR8 CS3030 1 TB은(는) 동급 성능·기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
2 chips @ 4 Tbit
1024 MB (2x 512 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB
250 GB 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
정보 없음
출시일
Dec 9th, 2024
May 8th, 2019
제품 번호
M280CS2150-1TB-TB
TABBG55AIV
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Double-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4
PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 1.3
소비전력
정보 없음
정보 없음
제조사
Kioxia
Toshiba
모델명
BiCS8
SK Hynix H5AN4G8NBJR-UHC
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R5
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
트리플 코어
쿼드 코어
동작 속도
1,200 MHz
667 MHz
파운드리
TSMC
TSMC
제조 공정
7 nm
19 nm
플래시 채널
4 @ 3,600 MT/s
8 @ 667 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
DDR4-2400 CL17
적층 기술
218-layer
64-layer
속도
3600 MT/s
533 MT/s
Toggle 규격
5.1
2.0
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²)
—
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
8 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
4
2
다이당 데크 수
2
2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
—
읽기 지연시간(tR)
40 µs
80 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms
—
다이 쓰기 속도
205 MB/s
46 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles
3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
페이지 크기
16 KB
16 KB
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
—
순차 읽기
10,200 MB/s우세
3,500 MB/s
순차 쓰기
8,300 MB/s우세
3,000 MB/s
랜덤 읽기
정보 없음
정보 없음
랜덤 쓰기
정보 없음
정보 없음
쓰기 내구성
600 TBW우세
360 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
2.0 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.2
SLC 쓰기 캐시
지원
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
미지원
AES-256
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
미지원
출시 가격
—
160 USD
ONFI 규격
—
3.2
프로그램 시간(tProg)
—
695 µs
다이 읽기 속도
—
400 MB/s
블록 크기
—
768 Pages
플레인 크기
—
1478 Blocks
구성
—
4Gx8