SSD / 나란히 비교

PNY CS2150 1 TBvsPNY LX3030 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

PNY CS2150 1 TB70/100
VS
PNY LX3030 2 TB76/100종합 우세
동급 성능 66우세 57
내구성 75 100우세
기능 74 81우세
효율 90

한눈에 보는 결론PNY CS2150 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. PNY LX3030 2 TB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
2 chips @ 4 Tbit 2048 MB (2x 1024 MB)
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 140.7 GB / 7.4 %
출시일
Dec 9th, 2024 Jul 15th, 2021
제품 번호
M280CS2150-1TB-TB IA8IG66AWA
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2280 (Double-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
정보 없음 0.50 W (Idle) 4.1 W (Avg) 7.1 W (Max)
제조사
Kioxia Micron
모델명
BiCS8 Kingston B5116ECMDXGJD
코어 구성
트리플 코어 쿼드 코어
동작 속도
1,200 MHz 667 MHz
제조 공정
7 nm 28 nm
플래시 채널
4 @ 3,600 MT/s 8 @ 667 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR3L-1866 CL13
적층 기술
218-layer 96-layer
속도
3600 MT/s 800 MT/s
Toggle 규격
5.1
셀 구조
Charge Trap Floating Gate
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²) 115 mm² (8.9 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 1 Tbit
다이당 데크 수
2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
40 µs 90 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms 15 ms
다이 쓰기 속도
205 MB/s 30 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles 30000 P/E Cycles
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
순차 읽기
10,200 MB/s우세 3,200 MB/s
순차 쓰기
8,300 MB/s우세 2,400 MB/s
랜덤 읽기
정보 없음 573,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음 727,000 IOPS
쓰기 내구성
600 TBW 20000 TBW우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.8 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 5.4
SLC 쓰기 캐시
지원
PS5 호환
지원 미지원
출시 가격
1169 USD
ONFI 규격
4.0
프로그램 시간(tProg)
2080 µs
블록 크기
4608 Pages
플레인 크기
492 Blocks
구성
8Gx16
쓰기 캐시
N/A
캐시 소진 후 속도
approx. 3030 MB/s