SSD / 나란히 비교

PNY CS2150 1 TBvsPNY CS900 8 TB (Micron N18A)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SSD SOLID STATE DRIVE

PNY

PNY CS2150 1 TB

상세 스펙 보기

SSD SOLID STATE DRIVE

PNY

PNY CS900 8 TB (Micron N18A)

상세 스펙 보기

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

PNY CS2150 1 TB70/100

PNY CS900 8 TB (Micron N18A)—/100

동급 성능 66 —

내구성 75 —

기능 74우세 45

효율 — —

한눈에 보는 결론PNY CS2150 1 TB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량

2 chips @ 4 Tbit —

용량 옵션

1 TB 2 TB —

오버프로비저닝

92.7 GB / 10.0 % —

생산 상태

생산 중 —

출시일

Dec 9th, 2024 —

제품 번호

M280CS2150-1TB-TB —

대상 시장

일반 소비자용 —

폼팩터

M.2 2280 (Single-Sided) —

인터페이스

PCIe 5.0 x4 —

프로토콜

NVMe 2.0 —

소비전력

정보 없음 —

제조사

Kioxia —

모델명

BiCS8 —

아키텍처

ARM 32-bit Cortex-R5 —

코어 구성

트리플 코어 —

동작 속도

1,200 MHz —

파운드리

TSMC —

제조 공정

7 nm —

플래시 채널

4 @ 3,600 MT/s —

칩 활성 수

4 —

컨트롤러 기능

HMB (enabled) —

종류

없음 —

적층 기술

218-layer —

속도

3600 MT/s —

Toggle 규격

5.1 —

셀 구조

Charge Trap —

다이 면적

44 mm² (23.3 Gbit/mm²) —

칩당 다이 수

4 dies @ 1 Tbit —

다이당 플레인 수

4 —

다이당 데크 수

2 —

워드라인

241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency —

읽기 지연시간(tR)

40 µs —

블록 삭제 시간(tBERS)

5.0 ms —

다이 쓰기 속도

205 MB/s —

낸드 최대 내구성

3000 P/E Cycles —

페이지 크기

16 KB —

호스트 메모리 버퍼(HMB)

64 MB —

순차 읽기

10,200 MB/s —

순차 쓰기

8,300 MB/s —

랜덤 읽기

정보 없음 —

랜덤 쓰기

정보 없음 —

쓰기 내구성

600 TBW —

보증 기간

5 Years —

평균 무고장 시간(MTBF)

1.5 Million Hours —

일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)

0.3 —

SLC 쓰기 캐시

지원 —

TRIM 지원

지원 —

S.M.A.R.T. 지원

지원 —

전원 손실 보호

미지원 —

암호화

미지원 —

RGB 조명

미지원 —

PS5 호환

지원 —