SSD / 나란히 비교

MSI Spatium M571 DLP 4 TBvsMSI Spatium M580 Frozr 4TB 4 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

MSI Spatium M571 DLP 4 TB87/100
VS
MSI Spatium M580 Frozr 4TB 4 TB88/100종합 우세
동급 성능 95 95
내구성 79 82우세
기능 81 81
효율 86

한눈에 보는 결론MSI Spatium M580 Frozr 4TB 4 TB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 동급 성능·기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
4096 MB (1x 4096 MB) 8192 MB (2x 4096 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB
출시일
Jan 7th, 2026 Jan 2024
제품 번호
정보 없음 NY256
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2280 (Double-Sided)
소비전력
정보 없음 2.2 W (Idle) 4.8 W (Avg) 11.2 W (Max)
제조사
Kioxia Micron
모델명
BiCS8 SK Hynix H9HCNNNCPUMLXR-NEE
아키텍처
AndesCore™ RISC-V N45 ARM 32-bit Cortex-R5 + AndesCore 32-bit N25F RISC-V
코어 구성
쿼드 코어 5-Core
파운드리
TSMC FinFET TSMC
제조 공정
6 nm 12 nm
플래시 채널
8 @ 4,200 MT/s 8 @ 2,400 MT/s
종류
LPDDR4X LPDDR4-4266
적층 기술
218-layer 232-layer
속도
3600 MT/s 2400 MT/s
Toggle 규격
5.1
셀 구조
Charge Trap Replacement Gate
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²) 70 mm² (14.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4 6
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency 255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
40 µs 61 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms 15 ms
다이 쓰기 속도
205 MB/s 160 MB/s
순차 읽기
14,500 MB/s우세 14,100 MB/s
순차 쓰기
11,000 MB/s 12,600 MB/s우세
랜덤 읽기
2,600,000 IOPS 정보 없음
랜덤 쓰기
2,600,000 IOPS 정보 없음
쓰기 내구성
2800 TBW 3000 TBW우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 2.0 Million Hours우세
SLC 쓰기 캐시
지원 approx. 400 GB (dynamic only)
PS5 호환
지원 미지원
출시 가격
515 USD
ONFI 규격
5.0
프로그램 시간(tProg)
600 µs
다이 읽기 속도
1574 MB/s
블록 크기
2784 Pages
플레인 크기
3402 Blocks
구성
32Gx32
캐시 소진 후 속도
approx. 4000 MB/s
캐시 폴딩 속도
1000 MB/s