SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

MSI Spatium M571 DLP 4 TBvsMSI Spatium M570 HS 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

MSI Spatium M571 DLP 4 TB87/100종합 우세
VS
MSI Spatium M570 HS 2 TB75/100
동급 성능 95우세 74
내구성 79 79
기능 81 83우세
효율 — 55

한눈에 보는 결론MSI Spatium M571 DLP 4 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. 내구성·기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 1 TB 2 TB
오버프로비저닝
370.7 GB / 10.0 % 140.7 GB / 7.4 %
출시일
Jan 7th, 2026 2022
제품 번호
정보 없음 NY181
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2280 (Double-Sided)
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
정보 없음 Unknown (Idle) Unknown (Avg) 11.0 W (Max)
제조사
Kioxia Micron
모델명
BiCS8 SK Hynix H9HCNNNCPUMLXR-NEE
아키텍처
AndesCore™ RISC-V N45 ARM 32-bit Cortex-R5 + AndesCore 32-bit N25F RISC-V
코어 구성
쿼드 코어 5-Core
파운드리
TSMC FinFET TSMC
제조 공정
6 nm 12 nm
플래시 채널
8 @ 4,200 MT/s 8 @ 2,400 MT/s
종류
LPDDR4X LPDDR4-4266
적층 기술
218-layer 232-layer
속도
3600 MT/s 2400 MT/s
Toggle 규격
5.1 —
셀 구조
Charge Trap Replacement Gate
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²) 70 mm² (14.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 4 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4 6
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency 255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
40 µs 61 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms 15 ms
다이 쓰기 속도
205 MB/s 160 MB/s
순차 읽기
14,500 MB/s우세 10,000 MB/s
순차 쓰기
11,000 MB/s우세 10,000 MB/s
랜덤 읽기
2,600,000 IOPS우세 1,400,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,600,000 IOPS우세 1,500,000 IOPS
쓰기 내구성
2800 TBW우세 1400 TBW
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.6 Million Hours우세
SLC 쓰기 캐시
지원 approx. 670 GB (dynamic only)
암호화
미지원 정보 없음
리브랜딩명
— MT29F4T08EMLCHD4-QA:C
ONFI 규격
— 5.0
프로그램 시간(tProg)
— 600 µs
다이 읽기 속도
— 1574 MB/s
블록 크기
— 2784 Pages
플레인 크기
— 3402 Blocks
구성
— 32Gx32
캐시 소진 후 속도
— approx. 5000 MB/s
캐시 폴딩 속도
— 1200 MB/s