SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
MSI Spatium M571 DLP 1 TBvsSamsung PM9E1 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
86
98우세
내구성
79
—
기능
81
83우세
효율
—
—
한눈에 보는 결론Samsung PM9E1 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1024 MB (1x 1024 MB)
정보 없음
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB
512 GB 1 TB 2 TB 4 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Jan 7th, 2026
2024
제품 번호
정보 없음
MZVLC1T0HFLU
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4
PCIe 5.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 2.0
소비전력
정보 없음
정보 없음
제조사
Kioxia
Samsung
모델명
BiCS8
V-NAND V8 (F-Die)
아키텍처
AndesCore™ RISC-V N45
ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
쿼드 코어
5-Core
동작 속도
1,000 MHz
—
파운드리
TSMC FinFET
Samsung FinFET
제조 공정
6 nm
5 nm
플래시 채널
8 @ 4,200 MT/s
8 @ 2,400 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
DRAM (enabled)
DRAM (enabled)
종류
LPDDR4X
LPDDR4
적층 기술
218-layer
236-layer
속도
3600 MT/s
2400 MT/s
Toggle 규격
5.1
5.0
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²)
89 mm² (5.8 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
—
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
—
읽기 지연시간(tR)
40 µs
40 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms
4.0 ms
다이 쓰기 속도
205 MB/s
164 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles
—
페이지 크기
16 KB
16 KB
순차 읽기
14,500 MB/s
14,500 MB/s
순차 쓰기
11,000 MB/s
12,600 MB/s우세
랜덤 읽기
1,300,000 IOPS
2,000,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
2,600,000 IOPS
2,640,000 IOPS우세
쓰기 내구성
700 TBW
정보 없음
보증 기간
5 Years
정보 없음
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
—
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4
—
SLC 쓰기 캐시
지원
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
미지원
AES-256
RGB 조명
미지원
정보 없음
PS5 호환
지원
지원
프로그램 시간(tProg)
—
390 µs
다이 읽기 속도
—
1600 MB/s