SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
MSI Spatium M571 DLP 1 TBvsPNY CS2150 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
86우세
66
내구성
79우세
75
기능
81우세
74
효율
—
—
한눈에 보는 결론MSI Spatium M571 DLP 1 TB은(는) 동급 성능·내구성·기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1024 MB (1x 1024 MB)
2 chips @ 4 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB
1 TB 2 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Jan 7th, 2026
Dec 9th, 2024
제품 번호
정보 없음
M280CS2150-1TB-TB
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4
PCIe 5.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 2.0
소비전력
정보 없음
정보 없음
제조사
Kioxia
Kioxia
모델명
BiCS8
BiCS8
아키텍처
AndesCore™ RISC-V N45
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
쿼드 코어
트리플 코어
동작 속도
1,000 MHz
1,200 MHz
파운드리
TSMC FinFET
TSMC
제조 공정
6 nm
7 nm
플래시 채널
8 @ 4,200 MT/s
4 @ 3,600 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
DRAM (enabled)
HMB (enabled)
종류
LPDDR4X
없음
적층 기술
218-layer
218-layer
속도
3600 MT/s
3600 MT/s
Toggle 규격
5.1
5.1
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²)
44 mm² (23.3 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
4 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
40 µs
40 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms
5.0 ms
다이 쓰기 속도
205 MB/s
205 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles
3000 P/E Cycles
페이지 크기
16 KB
16 KB
순차 읽기
14,500 MB/s우세
10,200 MB/s
순차 쓰기
11,000 MB/s우세
8,300 MB/s
랜덤 읽기
1,300,000 IOPS
정보 없음
랜덤 쓰기
2,600,000 IOPS
정보 없음
쓰기 내구성
700 TBW우세
600 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
1.5 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4
0.3
SLC 쓰기 캐시
지원
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
미지원
미지원
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
호스트 메모리 버퍼(HMB)
—
64 MB