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비교

SSD / 나란히 비교

Intel DC P4510 8 TB (IMFT B17A 512Gb FortisMax)vsSamsung 9100 Pro (w/ Heatsink) 8 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Intel DC P4510 8 TB (IMFT B17A 512Gb FortisMax)71/100
VS
Samsung 9100 Pro (w/ Heatsink) 8 TB89/100종합 우세
동급 성능 67 99우세
내구성 65 75우세
기능 94우세 83
효율 60 —

한눈에 보는 결론Intel DC P4510 8 TB (IMFT B17A 512Gb FortisMax)은(는) 기능 항목에서 앞섭니다. Samsung 9100 Pro (w/ Heatsink) 8 TB은(는) 동급 성능·내구성 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
10240 MB (10x 1024 MB) 8192 MB
용량 옵션
4 TB 8 TB 1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
생산 상태
단종 생산 중
출시일
Feb 16th, 2018 Feb 25th, 2025
제품 번호
SSDPE2KX080T8 MZ-VAP8T0
대상 시장
기업용 일반 소비자용
폼팩터
U.2 M.2 2280 (Double-Sided)
인터페이스
PCIe 3.0 x4 PCIe 5.0 x4
프로토콜
NVMe 1.3 NVMe 2.0
소비전력
5.0 W (Idle) 10.0 W (Avg) 16.0 W (Max) 정보 없음
제조사
Micron Samsung
모델명
Micron MT40A2G4WE-083E:B (D9TBJ) Samsung
아키텍처
ARM Cortex-A ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
듀얼 코어 5-Core
동작 속도
1,200 MHz —
파운드리
TSMC Samsung FinFET
제조 공정
20 nm 5 nm
플래시 채널
12 @ 1,600 MT/s 8 @ 2,400 MT/s
종류
DDR4-2400 CL17 LPDDR4X
적층 기술
64-layer 236-layer
속도
50 MT/s .. 667 MT/s 2400 MT/s
ONFI 규격
4.0 —
셀 구조
Floating Gate Charge Trap
다이 면적
108 mm² (4.7 Gbit/mm²) 89 mm² (11.5 Gbit/mm²)
워드라인
74 per NAND String 86.5% Vertical Efficiency —
읽기 지연시간(tR)
88 µs 40 µs
프로그램 시간(tProg)
880 µs 390 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
15 ms 4.0 ms
다이 읽기 속도
727 MB/s 1600 MB/s
다이 쓰기 속도
69 MB/s 164 MB/s
낸드 최대 내구성
10000 P/E Cycles (40000 in SLC Mode) —
블록 크기
2304 Pages —
플레인 크기
504 Blocks —
구성
8Gx4 —
순차 읽기
3,200 MB/s 14,800 MB/s우세
순차 쓰기
3,000 MB/s 13,400 MB/s우세
랜덤 읽기
641,800 IOPS 2,200,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
134,500 IOPS 2,600,000 IOPS우세
쓰기 내구성
13880 TBW우세 4800 TBW
평균 무고장 시간(MTBF)
2.0 Million Hours —
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
1.0 0.3
쓰기 캐시
N/A —
전원 손실 보호
지원 미지원
암호화
AES-256 AES-256 TCG Opal
PS5 호환
미지원 지원
칩 활성 수
— 4
Toggle 규격
— 5.0
칩당 다이 수
— 16 dies @ 1 Tbit
SLC 쓰기 캐시
— 지원