SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Crucial T710 2 TBvsCrucial P3 500 GB (Micron QLC 1Tb N48R FortisFlash)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Crucial

Crucial P3 500 GB (Micron QLC 1Tb N48R FortisFlash)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Crucial T710 2 TB89/100종합 우세
VS
Crucial P3 500 GB (Micron QLC 1Tb N48R FortisFlash)72/100
동급 성능 100우세 77
내구성 75우세 59
기능 83우세 77
효율 84 —

한눈에 보는 결론Crucial T710 2 TB은(는) 동급 성능·내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
2048 MB (1x 2048 MB) 정보 없음
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 % 46.3 GB / 10.0 %
출시일
May 19th, 2025 May 22nd, 2022
출시 가격
280 USD 50 USD
제품 번호
NY307 CT500P3SSD8
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
1.6 W (Idle) 5.2 W (Avg) 8.5 W (Max) 정보 없음
모델명
Micron MT53E512M32D1ZW-046 AAT:BE (D8CSG) N48R FortisFlash
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
5-Core 트리플 코어
동작 속도
1,250 MHz 1,000 MHz
파운드리
TSMC FinFET TSMC
제조 공정
6 nm 12 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s 4 @ 1,600 MT/s
컨트롤러 기능
DRAM (enabled) HMB (enabled)
리브랜딩명
MT29F8T08EQLEHL5-24QA:E —
종류
LPDDR4-4266 없음
적층 기술
276-layer 176-layer
속도
3600 MT/s 1600 MT/s
ONFI 규격
5.1 4.2
셀 구조
Charge Trap Replacement Gate
다이 면적
49 mm² (20.9 Gbit/mm²) 69 mm² (14.8 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit —
다이당 플레인 수
6 4
다이당 데크 수
3 2
읽기 지연시간(tR)
32 µs 98 µs
프로그램 시간(tProg)
320 µs 2339 µs
다이 쓰기 속도
300 MB/s 27 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles 1500 P/E Cycles (100000 in SLC Mode)
구성
16Gx32 —
순차 읽기
14,500 MB/s우세 3,500 MB/s
순차 쓰기
13,800 MB/s우세 1,900 MB/s
랜덤 읽기
2,200,000 IOPS 정보 없음
랜덤 쓰기
2,300,000 IOPS 정보 없음
쓰기 내구성
1200 TBW우세 110 TBW
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours —
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 0.1
SLC 쓰기 캐시
approx. 368 GB (dynamic only) 지원
캐시 소진 후 속도
approx. 4000 MB/s —
캐시 폴딩 속도
1950 MB/s —
암호화
AES-256 TCG Opal 정보 없음
PS5 호환
지원 미지원
하드웨어 버전
— Micron QLC 1Tb N48R FortisFlash 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB Micron TLC 1Tb B58R FortisFlash 1 TB P3 (Micron QLC 1Tb N48R FortisFlash) P3 (Micron TLC 1Tb B58R FortisFlash)
워드라인
— 195 per NAND String 90.3% Vertical Efficiency
블록 삭제 시간(tBERS)
— 7.5 ms
다이 읽기 속도
— 695 MB/s
블록 크기
— 2816 Pages
플레인 크기
— 817 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
— 64 MB