SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Crucial T710 1 TBvsWestern Digital SN8100 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
97우세
90
내구성
75
75
기능
83
83
효율
—
75
한눈에 보는 결론Crucial T710 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. 내구성·기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1024 MB (1x 1024 MB)
1024 MB (1x 1024 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
May 19th, 2025
May 2025
출시 가격
140 USD
—
제품 번호
CT1000T710SSD8
정보 없음
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4
PCIe 5.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 2.0
소비전력
정보 없음
Unknown (Idle) 7.0 W (Avg) Unknown (Max)
제조사
Micron
Kioxia
모델명
Micron
BiCS8
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0
코어 구성
5-Core
5-Core
동작 속도
1,250 MHz
1,250 MHz
파운드리
TSMC FinFET
TSMC FinFET
제조 공정
6 nm
6 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s
8 @ 3,600 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
DRAM (enabled)
DRAM (enabled)
종류
LPDDR4-4266
DDR4
적층 기술
276-layer
218-layer
속도
3600 MT/s
3600 MT/s
ONFI 규격
5.1
—
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
49 mm² (20.9 Gbit/mm²)
44 mm² (23.3 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
4 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
6
4
다이당 데크 수
3
2
읽기 지연시간(tR)
32 µs
40 µs
프로그램 시간(tProg)
320 µs
—
다이 쓰기 속도
300 MB/s
205 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles
3000 P/E Cycles
페이지 크기
16 KB
16 KB
구성
8Gx32
—
순차 읽기
14,900 MB/s
14,900 MB/s
순차 쓰기
13,700 MB/s우세
11,000 MB/s
랜덤 읽기
1,800,000 IOPS우세
1,600,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,200,000 IOPS
2,400,000 IOPS우세
쓰기 내구성
600 TBW
600 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
1.8 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.3
SLC 쓰기 캐시
지원
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
AES-256 TCG Opal
TCG Opal
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
Toggle 규격
—
5.1
워드라인
—
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
블록 삭제 시간(tBERS)
—
5.0 ms