SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Crucial T710 1 TBvsSamsung 9100 Pro 1 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Crucial T710 1 TB88/100
VS
Samsung 9100 Pro 1 TB88/100
동급 성능 97 97
내구성 75 75
기능 83 83
효율 — —

한눈에 보는 결론동급 성능·내구성·기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
출시일
May 19th, 2025 Feb 25th, 2025
출시 가격
140 USD 173 USD
제품 번호
CT1000T710SSD8 MZ-VAP1T0
제조사
Micron Samsung
모델명
Micron Samsung
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0 ARM 32-bit Cortex-R8
동작 속도
1,250 MHz —
파운드리
TSMC FinFET Samsung FinFET
제조 공정
6 nm 5 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s 8 @ 2,400 MT/s
종류
LPDDR4-4266 LPDDR4X
적층 기술
276-layer 236-layer
속도
3600 MT/s 2400 MT/s
ONFI 규격
5.1 —
다이 면적
49 mm² (20.9 Gbit/mm²) 89 mm² (11.5 Gbit/mm²)
다이당 플레인 수
6 4
다이당 데크 수
3 2
읽기 지연시간(tR)
32 µs 40 µs
프로그램 시간(tProg)
320 µs 390 µs
다이 쓰기 속도
300 MB/s 164 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles —
구성
8Gx32 —
순차 읽기
14,900 MB/s우세 14,700 MB/s
순차 쓰기
13,700 MB/s우세 13,300 MB/s
랜덤 읽기
1,800,000 IOPS 1,850,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
2,200,000 IOPS 2,600,000 IOPS우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours —
SLC 쓰기 캐시
지원 approx. 114 GB (108 GB Dynamic + 6 GB Static)
Toggle 규격
— 5.0
블록 삭제 시간(tBERS)
— 4.0 ms
다이 읽기 속도
— 1600 MB/s