SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Crucial T710 1 TBvsPNY CS3150 XLR8 (w/ heatsink) 1 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Crucial T710 1 TB88/100종합 우세
VS
PNY CS3150 XLR8 (w/ heatsink) 1 TB76/100
동급 성능 97우세 72
내구성 75 79우세
기능 83 83
효율 — 74

한눈에 보는 결론Crucial T710 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. PNY CS3150 XLR8 (w/ heatsink) 1 TB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1024 MB (1x 1024 MB) 2048 MB (1x 2048 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 1 TB 2 TB
출시일
May 19th, 2025 Nov 14th, 2023
출시 가격
140 USD —
제품 번호
CT1000T710SSD8 NY195
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2280 (Double-Sided)
소비전력
정보 없음 2.8 W (Idle) 7.3 W (Avg) 10.2 W (Max)
모델명
Micron SK Hynix H9HCNNNBKUMLXR-NEE
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0 ARM 32-bit Cortex-R5 + AndesCore 32-bit N25F RISC-V
동작 속도
1,250 MHz 1,000 MHz
파운드리
TSMC FinFET TSMC
제조 공정
6 nm 12 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s 8 @ 2,400 MT/s
적층 기술
276-layer 232-layer
속도
3600 MT/s 2400 MT/s
ONFI 규격
5.1 5.0
셀 구조
Charge Trap Replacement Gate
다이 면적
49 mm² (20.9 Gbit/mm²) 70 mm² (14.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit 2 dies @ 1 Tbit
다이당 데크 수
3 2
읽기 지연시간(tR)
32 µs 61 µs
프로그램 시간(tProg)
320 µs 600 µs
다이 쓰기 속도
300 MB/s 160 MB/s
구성
8Gx32 16Gx32
순차 읽기
14,900 MB/s우세 11,500 MB/s
순차 쓰기
13,700 MB/s우세 8,500 MB/s
랜덤 읽기
1,800,000 IOPS 정보 없음
랜덤 쓰기
2,200,000 IOPS 정보 없음
쓰기 내구성
600 TBW 700 TBW우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.6 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 0.4
SLC 쓰기 캐시
지원 approx. 112 GB (dynamic only)
암호화
AES-256 TCG Opal TCG Opal
PS5 호환
지원 정보 없음
리브랜딩명
— MT29F2T08EELCHD4-QA:C
워드라인
— 255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency
블록 삭제 시간(tBERS)
— 15 ms
다이 읽기 속도
— 1574 MB/s
블록 크기
— 2784 Pages
플레인 크기
— 3402 Blocks
캐시 소진 후 속도
— approx. 1822 MB/s
캐시 폴딩 속도
— 900 MB/s