SSD / 나란히 비교

Crucial T710 1 TBvsCrucial P1 500 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Crucial T710 1 TB88/100종합 우세
VS
Crucial P1 500 GB52/100
동급 성능 97우세 23
내구성 75우세 59
기능 83 83
효율 98

한눈에 보는 결론Crucial T710 1 TB은(는) 동급 성능·내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1024 MB (1x 1024 MB) 512 MB (1x 512 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 500 GB 1 TB 2 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 46.3 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중 단종
출시일
May 19th, 2025 Apr 2018
출시 가격
140 USD 110 USD
제품 번호
CT1000T710SSD8 NW946
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
정보 없음 0.06 W (Idle) 2.4 W (Avg) 3.1 W (Max)
모델명
Micron MT41K256M16TW-107:P (FBGA: D9SHD)
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
5-Core 듀얼 코어
동작 속도
1,250 MHz 650 MHz
파운드리
TSMC FinFET TSMC
제조 공정
6 nm 20 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s 4 @ 800 MT/s
종류
LPDDR4-4266 DDR3-1866 CL13
적층 기술
276-layer 64-layer
속도
3600 MT/s 50 MT/s .. 800 MT/s
ONFI 규격
5.1 4.0
셀 구조
Charge Trap Floating Gate
다이 면적
49 mm² (20.9 Gbit/mm²) 157 mm² (6.5 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit 2 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
6 4
다이당 데크 수
3 2
읽기 지연시간(tR)
32 µs 127 µs
프로그램 시간(tProg)
320 µs 3000 µs
다이 쓰기 속도
300 MB/s 21 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles 1500 P/E Cycles
구성
8Gx32 4Gx16
순차 읽기
14,900 MB/s우세 1,900 MB/s
순차 쓰기
13,700 MB/s우세 950 MB/s
랜덤 읽기
1,800,000 IOPS우세 90 IOPS
랜덤 쓰기
2,200,000 IOPS우세 220,000 IOPS
쓰기 내구성
600 TBW우세 100 TBW
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.8 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 0.1
SLC 쓰기 캐시
지원 approx. 80 GB (75 GB Dynamic + 5 GB Static)
PS5 호환
지원 미지원
리브랜딩명
MT29F2T08GEHAFJ4:A
워드라인
74 per NAND String 86.5% Vertical Efficiency
블록 삭제 시간(tBERS)
15 ms
다이 읽기 속도
503 MB/s
블록 크기
3072 Pages
플레인 크기
684 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
N/A
캐시 소진 후 속도
approx. 60 MB/s