SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Crucial T710 1 TBvsCorsair MP700 Elite (w/ Heatsink) 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
97우세
69
내구성
75
75
기능
83우세
77
효율
—
—
한눈에 보는 결론Crucial T710 1 TB은(는) 동급 성능·기능 항목에서 앞섭니다. 내구성 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1024 MB (1x 1024 MB)
2 chips @ 4 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB
1 TB 2 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
May 19th, 2025
Nov 5th, 2024
출시 가격
140 USD
150 USD
제품 번호
CT1000T710SSD8
CSSD-F1000GBMP700EHS
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280
인터페이스
PCIe 5.0 x4
PCIe 5.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 2.0
소비전력
정보 없음
정보 없음
제조사
Micron
Kioxia
모델명
Micron
BiCS8
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
5-Core
트리플 코어
동작 속도
1,250 MHz
1,200 MHz
파운드리
TSMC FinFET
TSMC
제조 공정
6 nm
7 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s
4 @ 3,600 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
DRAM (enabled)
HMB (enabled)
종류
LPDDR4-4266
없음
적층 기술
276-layer
218-layer
속도
3600 MT/s
3600 MT/s
ONFI 규격
5.1
—
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
49 mm² (20.9 Gbit/mm²)
44 mm² (23.3 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
4 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
6
4
다이당 데크 수
3
2
읽기 지연시간(tR)
32 µs
40 µs
프로그램 시간(tProg)
320 µs
—
다이 쓰기 속도
300 MB/s
205 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles
3000 P/E Cycles
페이지 크기
16 KB
16 KB
구성
8Gx32
—
순차 읽기
14,900 MB/s우세
10,000 MB/s
순차 쓰기
13,700 MB/s우세
8,500 MB/s
랜덤 읽기
1,800,000 IOPS우세
1,300,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,200,000 IOPS우세
1,400,000 IOPS
쓰기 내구성
600 TBW
600 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
—
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.3
SLC 쓰기 캐시
지원
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
AES-256 TCG Opal
TCG Pyrite
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
Toggle 규격
—
5.1
워드라인
—
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
블록 삭제 시간(tBERS)
—
5.0 ms
호스트 메모리 버퍼(HMB)
—
64 MB