SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Crucial T500 (w/ Heatsink) 4 TBvsCrucial E100 480 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Crucial T500 (w/ Heatsink) 4 TB79/100종합 우세
VS
Crucial E100 480 GB51/100
동급 성능 78우세 48
내구성 75우세 35
기능 83우세 77
효율 88 —

한눈에 보는 결론Crucial T500 (w/ Heatsink) 4 TB은(는) 동급 성능·내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
4096 MB (1x 4096 MB) 2 chips @ 2 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 480 GB 1 TB
오버프로비저닝
370.7 GB / 10.0 % 65.0 GB / 14.5 %
출시일
Oct 31st, 2023 Jan 7th, 2025
출시 가격
120 USD 37 USD
제품 번호
NY256 CT480E100SSD8
폼팩터
M.2 2280 (Double-Sided) M.2 2280
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
0.94 W (Idle) 4.4 W (Avg) 6.2 W (Max) 정보 없음
제조사
Micron SpecTek
모델명
Micron MT53E1G32D2FW-046 IT:C (D8DVP) B58R
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R5 ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
쿼드 코어 듀얼 코어
동작 속도
650 MHz 725 MHz
파운드리
TSMC FinFET TSMC
컨트롤러 기능
DRAM (enabled) HMB (enabled)
리브랜딩명
MT29F8T08EULCHD5-QB:C —
종류
LPDDR4-4266 없음
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 2 dies @ 1 Tbit
워드라인
255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency 253 per NAND String 91.7% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
61 µs —
프로그램 시간(tProg)
600 µs —
다이 읽기 속도
1574 MB/s —
다이 쓰기 속도
160 MB/s —
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles 1000 P/E Cycles (60000 in SLC Mode)
구성
32Gx32 —
순차 읽기
7,000 MB/s우세 4,700 MB/s
순차 쓰기
6,900 MB/s우세 2,500 MB/s
랜덤 읽기
1,050,000 IOPS 정보 없음
랜덤 쓰기
1,350,000 IOPS 정보 없음
쓰기 내구성
2400 TBW우세 60 TBW
보증 기간
5 Years우세 3 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
2.0 Million Hours우세 1.0 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 0.1
SLC 쓰기 캐시
approx. 1950 GB (dynamic only) 지원
캐시 소진 후 속도
approx. 3513 MB/s —
캐시 폴딩 속도
600 MB/s —
암호화
TCG Opal 정보 없음
호스트 메모리 버퍼(HMB)
— 64 MB