SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Crucial P510 1 TBvsCrucial P1 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
74우세
32
내구성
75우세
59
기능
77
83우세
효율
—
98
한눈에 보는 결론Crucial P510 1 TB은(는) 동급 성능·내구성 항목에서 앞섭니다. Crucial P1 1 TB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
2 chips @ 4 Tbit
1024 MB (1x 1024 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB
500 GB 1 TB 2 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
단종
출시일
Jan 8th, 2025
Apr 2018
제품 번호
CT1000P510SSD8
NW947
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4
PCIe 3.0 x4
프로토콜
정보 없음
NVMe 1.3
소비전력
정보 없음
0.07 W (Idle) 2.5 W (Avg) 3.9 W (Max)
제조사
Micron
Micron
모델명
B68S FortisFlash
MT40A1G8SA-075:E (FBGA: D9STQ)
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R5
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
트리플 코어
듀얼 코어
동작 속도
1,200 MHz
650 MHz
파운드리
TSMC
TSMC
제조 공정
7 nm
20 nm
플래시 채널
4 @ 3,600 MT/s
4 @ 800 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
DDR4-2666 CL18
적층 기술
276-layer
64-layer
속도
3600 MT/s
50 MT/s .. 800 MT/s
ONFI 규격
5.1
4.0
셀 구조
Charge Trap
Floating Gate
다이 면적
49 mm² (20.9 Gbit/mm²)
157 mm² (6.5 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
4 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
6
4
다이당 데크 수
3
2
읽기 지연시간(tR)
32 µs
127 µs
프로그램 시간(tProg)
320 µs
3000 µs
다이 쓰기 속도
300 MB/s
21 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles
1500 P/E Cycles
페이지 크기
16 KB
16 KB
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
N/A
순차 읽기
11,000 MB/s우세
2,000 MB/s
순차 쓰기
9,500 MB/s우세
1,700 MB/s
랜덤 읽기
정보 없음
170,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음
240,000 IOPS
쓰기 내구성
600 TBW우세
200 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.1
SLC 쓰기 캐시
지원
approx. 162 GB (150 GB Dynamic + 12 GB Static)
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
정보 없음
AES-256 TCG Opal
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
미지원
출시 가격
—
230 USD
리브랜딩명
—
MT29F4T08GMHAFJ4:A
워드라인
—
74 per NAND String 86.5% Vertical Efficiency
블록 삭제 시간(tBERS)
—
15 ms
다이 읽기 속도
—
503 MB/s
블록 크기
—
3072 Pages
플레인 크기
—
684 Blocks
구성
—
8Gx16
평균 무고장 시간(MTBF)
—
1.8 Million Hours
캐시 소진 후 속도
—
approx. 150 MB/s