SSD / 나란히 비교

Crucial E100 480 GBvsWestern Digital SN350 480 GB (TLC)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Crucial E100 480 GB51/100종합 우세
VS
Western Digital SN350 480 GB (TLC)49/100
동급 성능 48우세 35
내구성 35 35
기능 77우세 74
효율 100

한눈에 보는 결론Crucial E100 480 GB은(는) 동급 성능·기능 항목에서 앞섭니다. 내구성 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
2 chips @ 2 Tbit 1 chip @ 4 Tbit
용량 옵션
480 GB 1 TB 240 GB 480 GB 960 GB
출시일
Jan 7th, 2025 Feb 15th, 2021
출시 가격
37 USD 44 USD
제품 번호
CT480E100SSD8 WDS480G2G0C
폼팩터
M.2 2280 M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4 NVMe 1.3
소비전력
정보 없음 0.11 W (Idle) Unknown (Avg) 3.5 W (Max)
제조사
SpecTek Toshiba
모델명
B58R BiCS4
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
듀얼 코어 트리플 코어
동작 속도
725 MHz
파운드리
TSMC TSMC FinFET
제조 공정
12 nm 19 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 4 @ 1,200 MT/s
적층 기술
232-layer 96-layer
속도
2400 MT/s 800 MT/s
ONFI 규격
5.0 4.0
셀 구조
Replacement Gate Charge Trap
다이 면적
70 mm² (14.6 Gbit/mm²) 86 mm² (6.0 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
2 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
6 2
워드라인
253 per NAND String 91.7% Vertical Efficiency 109 per NAND String 88.1% Vertical Efficiency
블록 삭제 시간(tBERS)
15 ms
낸드 최대 내구성
1000 P/E Cycles (60000 in SLC Mode) 3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
블록 크기
2784 Pages 1152 Pages
플레인 크기
3402 Blocks 1822 Blocks
순차 읽기
4,700 MB/s우세 2,400 MB/s
순차 쓰기
2,500 MB/s우세 1,650 MB/s
랜덤 읽기
정보 없음 250,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음 170,000 IOPS
암호화
정보 없음 미지원
PS5 호환
지원 미지원
하드웨어 버전
QLC 1 TB 2 TB TLC 240 GB 480 GB 960 GB SN350 (QLC) SN350 (TLC)
Toggle 규격
3.0
읽기 지연시간(tR)
58 µs
프로그램 시간(tProg)
561 µs
다이 읽기 속도
551 MB/s
다이 쓰기 속도
57 MB/s