SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Crucial E100 480 GBvsCrucial P3 Plus 500 GB (Micron B58R FortisFlash)
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
48우세
44
내구성
35
59우세
기능
77우세
74
효율
—
—
한눈에 보는 결론Crucial E100 480 GB은(는) 동급 성능·기능 항목에서 앞섭니다. Crucial P3 Plus 500 GB (Micron B58R FortisFlash)은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
2 chips @ 2 Tbit
2 chips @ 2 Tbit
용량 옵션
480 GB 1 TB
500 GB 1 TB
오버프로비저닝
65.0 GB / 14.5 %
46.3 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Jan 7th, 2025
2024
출시 가격
37 USD
60 USD
제품 번호
CT480E100SSD8
CT500P3PSSD8
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4
NVMe 1.4
소비전력
정보 없음
정보 없음
제조사
SpecTek
Micron
모델명
B58R
B58R FortisFlash
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
듀얼 코어
트리플 코어
동작 속도
725 MHz
1,000 MHz
파운드리
TSMC
TSMC
제조 공정
12 nm
12 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
4 @ 1,600 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
HMB (enabled)
종류
없음
없음
적층 기술
232-layer
232-layer
속도
2400 MT/s
2400 MT/s
ONFI 규격
5.0
5.0
셀 구조
Replacement Gate
Replacement Gate
다이 면적
70 mm² (14.6 Gbit/mm²)
70 mm² (14.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
2 dies @ 1 Tbit
2 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
6
6
다이당 데크 수
2
2
워드라인
253 per NAND String 91.7% Vertical Efficiency
255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency
블록 삭제 시간(tBERS)
15 ms
15 ms
낸드 최대 내구성
1000 P/E Cycles (60000 in SLC Mode)
3000 P/E Cycles
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
2784 Pages
2784 Pages
플레인 크기
3402 Blocks
3402 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
64 MB
순차 읽기
4,700 MB/s
4,700 MB/s
순차 쓰기
2,500 MB/s우세
1,900 MB/s
랜덤 읽기
정보 없음
정보 없음
랜덤 쓰기
정보 없음
정보 없음
쓰기 내구성
60 TBW
110 TBW우세
보증 기간
3 Years
5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.0 Million Hours
1.5 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.1
0.1
SLC 쓰기 캐시
지원
approx. 160 GB (dynamic only)
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
정보 없음
미지원
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
하드웨어 버전
—
Micron B58R FortisFlash 500 GB 1 TB Micron N48R FortisFlash 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB P3 Plus (Micron B58R FortisFlash) P3 Plus (Micron N48R FortisFlash)
읽기 지연시간(tR)
—
61 µs
프로그램 시간(tProg)
—
600 µs
다이 읽기 속도
—
1574 MB/s
다이 쓰기 속도
—
160 MB/s
캐시 소진 후 속도
—
approx. 850 MB/s
캐시 폴딩 속도
—
500 MB/s