SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Crucial E100 1 TBvsCrucial X8 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
54우세
17
내구성
34
60우세
기능
77
78우세
효율
—
—
한눈에 보는 결론Crucial E100 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Crucial X8 1 TB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
2 chips @ 4 Tbit
1024 MB (1x 1024 MB)
용량 옵션
480 GB 1 TB
500 GB 1 TB 2 TB 4 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Jan 7th, 2025
Oct 25th, 2019
출시 가격
37 USD
165 USD
제품 번호
PF937
NW947
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
USB
프로토콜
NVMe 1.4
USB 3.2 Gen 2 10Gbps
소비전력
정보 없음
정보 없음
제조사
SpecTek
Micron
모델명
B58R
Micron MT41K512M16HA-125:A (FBGA: D9STQ)
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
ARM 32-bit
코어 구성
듀얼 코어
듀얼 코어
동작 속도
725 MHz
650 MHz
파운드리
TSMC
TSMC
제조 공정
12 nm
20 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
4 @ 800 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
DDR3-1600 CL11
적층 기술
232-layer
64-layer
속도
2400 MT/s
50 MT/s .. 800 MT/s
ONFI 규격
5.0
4.0
셀 구조
Replacement Gate
Floating Gate
다이 면적
70 mm² (14.6 Gbit/mm²)
157 mm² (6.5 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
4 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
6
4
다이당 데크 수
2
2
워드라인
253 per NAND String 91.7% Vertical Efficiency
74 per NAND String 86.5% Vertical Efficiency
블록 삭제 시간(tBERS)
15 ms
15 ms
낸드 최대 내구성
1000 P/E Cycles (60000 in SLC Mode)
1500 P/E Cycles
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
2784 Pages
3072 Pages
플레인 크기
3402 Blocks
684 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
—
순차 읽기
5,000 MB/s우세
1,050 MB/s
순차 쓰기
3,000 MB/s우세
1,000 MB/s
랜덤 읽기
정보 없음
64,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음
69,000 IOPS
쓰기 내구성
80 TBW
정보 없음
보증 기간
3 Years
3 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.0 Million Hours
—
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.1
—
SLC 쓰기 캐시
지원
approx. 197 GB (dynamic only)
TRIM 지원
지원
미지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
정보 없음
미지원
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
브리지 컨트롤러
—
ASMedia ASM2362
커넥터
—
USB-C
변환 대상
—
PCI Express Gen3 x2
리브랜딩명
—
MT29F4T08GMHAFJ4:A (FBGA: NW947)
읽기 지연시간(tR)
—
127 µs
프로그램 시간(tProg)
—
3000 µs
다이 읽기 속도
—
503 MB/s
다이 쓰기 속도
—
21 MB/s
구성
—
8Gx16
캐시 폴딩 속도
—
100 MB/s