SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Crucial E100 1 TBvsCrucial T500 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
54
82우세
내구성
34
75우세
기능
77
83우세
효율
—
—
한눈에 보는 결론Crucial T500 1 TB은(는) 동급 성능·내구성·기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
2 chips @ 4 Tbit
1024 MB (1x 1024 MB)
용량 옵션
480 GB 1 TB
500 GB 1 TB 2 TB 4 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Jan 7th, 2025
Oct 31st, 2023
출시 가격
37 USD
120 USD
제품 번호
PF937
NY254
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4
NVMe 2.0
소비전력
정보 없음
정보 없음
제조사
SpecTek
Micron
모델명
B58R
B58R FortisFlash
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
듀얼 코어
쿼드 코어
동작 속도
725 MHz
650 MHz
파운드리
TSMC
TSMC FinFET
제조 공정
12 nm
12 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
4 @ 2,400 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
LPDDR4-4266
적층 기술
232-layer
232-layer
속도
2400 MT/s
2400 MT/s
ONFI 규격
5.0
5.0
셀 구조
Replacement Gate
Replacement Gate
다이 면적
70 mm² (14.6 Gbit/mm²)
70 mm² (14.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
4 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
6
6
다이당 데크 수
2
2
워드라인
253 per NAND String 91.7% Vertical Efficiency
255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency
블록 삭제 시간(tBERS)
15 ms
15 ms
낸드 최대 내구성
1000 P/E Cycles (60000 in SLC Mode)
3000 P/E Cycles
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
2784 Pages
2784 Pages
플레인 크기
3402 Blocks
3402 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
—
순차 읽기
5,000 MB/s
7,300 MB/s우세
순차 쓰기
3,000 MB/s
6,800 MB/s우세
랜덤 읽기
정보 없음
1,150,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음
1,440,000 IOPS
쓰기 내구성
80 TBW
600 TBW우세
보증 기간
3 Years
5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.0 Million Hours
2.0 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.1
0.3
SLC 쓰기 캐시
지원
approx. 371 GB (dynamic only)
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
정보 없음
TCG Opal
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
리브랜딩명
—
MT29F4T08EMLCHD4-QB:C
읽기 지연시간(tR)
—
61 µs
프로그램 시간(tProg)
—
600 µs
다이 읽기 속도
—
1574 MB/s
다이 쓰기 속도
—
160 MB/s
캐시 소진 후 속도
—
approx. 2213 MB/s
캐시 폴딩 속도
—
626 MB/s