SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Crucial E100 1 TBvsCrucial P2 1 TB (Micron B27A)
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
54우세
42
내구성
34
69우세
기능
77
77
효율
—
—
한눈에 보는 결론Crucial E100 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Crucial P2 1 TB (Micron B27A)은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
2 chips @ 4 Tbit
4 chips @ 2 Tbit
용량 옵션
480 GB 1 TB
—
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
단종
출시일
Jan 7th, 2025
Apr 20th, 2020
출시 가격
37 USD
115 USD
제품 번호
PF937
CT1000P2SSD8
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4
NVMe 1.3
소비전력
정보 없음
정보 없음
제조사
SpecTek
Micron
모델명
B58R
B27A FortisFlash
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
듀얼 코어
듀얼 코어
동작 속도
725 MHz
667 MHz
파운드리
TSMC
TSMC
제조 공정
12 nm
20 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
4 @ 667 MT/s
칩 활성 수
4
8
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
HMB (enabled)
종류
없음
없음
적층 기술
232-layer
96-layer
속도
2400 MT/s
50 MT/s .. 800 MT/s
ONFI 규격
5.0
4.0
셀 구조
Replacement Gate
Floating Gate
다이 면적
70 mm² (14.6 Gbit/mm²)
82 mm² (6.2 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
4 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
6
4
다이당 데크 수
2
2
워드라인
253 per NAND String 91.7% Vertical Efficiency
106 per NAND String 90.6% Vertical Efficiency
블록 삭제 시간(tBERS)
15 ms
15 ms
낸드 최대 내구성
1000 P/E Cycles (60000 in SLC Mode)
2000 P/E Cycles (40000 in SLC Mode)
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
2784 Pages
5184 Pages
플레인 크기
3402 Blocks
236 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
64 MB
순차 읽기
5,000 MB/s우세
2,400 MB/s
순차 쓰기
3,000 MB/s우세
1,800 MB/s
랜덤 읽기
정보 없음
430,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음
430,000 IOPS
쓰기 내구성
80 TBW
450 TBW우세
보증 기간
3 Years
5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.0 Million Hours
1.5 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.1
0.2
SLC 쓰기 캐시
지원
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
정보 없음
AES-256 TCG Opal
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
미지원
하드웨어 버전
—
Micron B16A 250 GB 500 GB Micron B27A 1 TB Micron N28A 1 TB 2 TB P2 (Micron B16A) P2 (Micron B27A) P2 (Micron N28A)
읽기 지연시간(tR)
—
88 µs
프로그램 시간(tProg)
—
800 µs
다이 읽기 속도
—
727 MB/s
다이 쓰기 속도
—
80 MB/s