SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Corsair MP700 Pro XT 1 TBvsSamsung 9100 Pro 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
94
97우세
내구성
79우세
75
기능
83
83
효율
—
—
한눈에 보는 결론Corsair MP700 Pro XT 1 TB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. Samsung 9100 Pro 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1024 MB (1x 1024 MB)
1024 MB (1x 1024 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Oct 28th, 2025
Feb 25th, 2025
출시 가격
160 USD
173 USD
제품 번호
CSSD-F10GBMP700PXNH
MZ-VAP1T0
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4
PCIe 5.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 2.0
소비전력
정보 없음
정보 없음
제조사
Kioxia
Samsung
모델명
BiCS8
Samsung
아키텍처
AndesCore™ RISC-V N45
ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
쿼드 코어
5-Core
동작 속도
1,000 MHz
—
파운드리
TSMC FinFET
Samsung FinFET
제조 공정
6 nm
5 nm
플래시 채널
8 @ 4,200 MT/s
8 @ 2,400 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
DRAM (enabled)
DRAM (enabled)
종류
LPDDR4-4266
LPDDR4X
적층 기술
218-layer
236-layer
속도
3600 MT/s
2400 MT/s
Toggle 규격
5.1
5.0
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²)
89 mm² (11.5 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
4 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
—
읽기 지연시간(tR)
40 µs
40 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms
4.0 ms
다이 쓰기 속도
205 MB/s
164 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles
—
페이지 크기
16 KB
16 KB
순차 읽기
14,900 MB/s우세
14,700 MB/s
순차 쓰기
14,200 MB/s우세
13,300 MB/s
랜덤 읽기
1,500,000 IOPS
1,850,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
3,300,000 IOPS우세
2,600,000 IOPS
쓰기 내구성
700 TBW우세
600 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
—
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4
0.3
SLC 쓰기 캐시
지원
approx. 114 GB (108 GB Dynamic + 6 GB Static)
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
AES-256
AES-256 TCG Opal
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
프로그램 시간(tProg)
—
390 µs
다이 읽기 속도
—
1600 MB/s