SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Corsair MP700 Micro 4 TBvsSamsung 9100 Pro 4 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Corsair MP700 Micro 4 TB73/100
VS
Samsung 9100 Pro 4 TB88/100종합 우세
동급 성능 66 99우세
내구성 75 75
기능 77 83우세
효율 92우세 85

한눈에 보는 결론Corsair MP700 Micro 4 TB은(는) 효율 항목에서 앞섭니다. Samsung 9100 Pro 4 TB은(는) 동급 성능·기능 항목에서 앞섭니다. 내구성 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
2 chips @ 16 Tbit 4096 MB (1x 4096 MB)
용량 옵션
2 TB 4 TB 1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
출시일
Oct 27th, 2025 Feb 25th, 2025
출시 가격
485 USD 576 USD
제품 번호
CSSD-F4000GBMP700MCR MZ-VAP4T0
폼팩터
M.2 2242 (Single-Sided) M.2 2280 (Single-Sided)
소비전력
1.8 W (Idle) 3.6 W (Avg) 4.7 W (Max) 1.9 W (Idle) 5.0 W (Avg) 8.6 W (Max)
제조사
Kioxia Samsung
모델명
BiCS8 Samsung
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R5 ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
트리플 코어 5-Core
동작 속도
1,200 MHz —
파운드리
TSMC Samsung FinFET
제조 공정
7 nm 5 nm
플래시 채널
4 @ 3,600 MT/s 8 @ 2,400 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 LPDDR4X
적층 기술
218-layer 236-layer
속도
3600 MT/s 2400 MT/s
Toggle 규격
5.1 5.0
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²) 89 mm² (11.5 Gbit/mm²)
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency —
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms 4.0 ms
다이 쓰기 속도
205 MB/s 164 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles —
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
9,400 MB/s 14,800 MB/s우세
순차 쓰기
8,100 MB/s 13,400 MB/s우세
랜덤 읽기
1,200,000 IOPS 2,200,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
1,400,000 IOPS 2,600,000 IOPS우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.6 Million Hours —
SLC 쓰기 캐시
approx. 438 GB (dynamic only) approx. 442 GB (432 GB Dynamic + 10 GB Static)
캐시 소진 후 속도
approx. 2000 MB/s approx. 1856 MB/s
암호화
정보 없음 AES-256 TCG Opal
프로그램 시간(tProg)
— 390 µs
다이 읽기 속도
— 1600 MB/s