SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

ASUS ROG Xbox Ally X RC73XA 1 TB (Samsung BM9H1)vsWestern Digital SN730 1 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

ASUS ROG Xbox Ally X RC73XA 1 TB (Samsung BM9H1)50/100
VS
Western Digital SN730 1 TB71/100종합 우세
동급 성능 51 61우세
내구성 25 67우세
기능 77 83우세
효율 — 99

한눈에 보는 결론Western Digital SN730 1 TB은(는) 동급 성능·내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 1024 MB (1x 1024 MB)
출시일
Nov 2025 2019
제품 번호
K9XVGY8J5C-CCK0 SDBPNTY-1TOO
휴대용 기기 권장가
$999 —
폼팩터
M.2 2280 M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4 NVMe 1.3
소비전력
정보 없음 0.10 W (Idle) 2.2 W (Avg) 5.4 W (Max)
제조사
Samsung Toshiba
모델명
V-NAND V7 Micron MT40A512M16LY-075:E (D9WFH)
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit
코어 구성
듀얼 코어 트리플 코어
동작 속도
650 MHz —
제조 공정
12 nm 19 nm
플래시 채널
4 @ 1,600 MT/s 8 @ 800 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR4-2666 CL18
적층 기술
176-layer 96-layer
속도
1600 MT/s 533 MT/s .. 800 MT/s
Toggle 규격
4.0 3.0
다이 면적
67 mm² (15.3 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 16 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
1 2
워드라인
191 per NAND String 92.1% Vertical Efficiency 109 per NAND String 88.1% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
85 µs 59 µs
프로그램 시간(tProg)
1600 µs 625 µs
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
4,900 MB/s우세 3,400 MB/s
순차 쓰기
4,500 MB/s우세 3,100 MB/s
랜덤 읽기
530,000 IOPS 550,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
950,000 IOPS우세 550,000 IOPS
쓰기 내구성
300 TBW 400 TBW우세
보증 기간
정보 없음 5 Years
SLC 쓰기 캐시
지원 approx. 16 GB (static only)
PS5 호환
지원 미지원
용량 옵션
— 256 GB 512 GB 1 TB
리브랜딩명
— 60082 512G (Rebranded by SanDisk)
다이 읽기 속도
— 551 MB/s
다이 쓰기 속도
— 56 MB/s
낸드 최대 내구성
— 1500 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
블록 크기
— 1152 Pages
플레인 크기
— 1980 Blocks
구성
— 8Gx16
평균 무고장 시간(MTBF)
— 1.8 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
— 0.2
캐시 소진 후 속도
— approx. 1800 MB/s