SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
ASUS ROG Xbox Ally X RC73XA 1 TB (Samsung BM9H1)vsWestern Digital SN5000S 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
51
60우세
내구성
25
63우세
기능
77
77
효율
—
78
한눈에 보는 결론Western Digital SN5000S 1 TB은(는) 동급 성능·내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 8 Tbit
정보 없음
오버프로비저닝
70.3 GB / 7.4 %
70.3 GB / 7.4 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Nov 2025
Mar 14th, 2024
제품 번호
K9XVGY8J5C-CCK0
SDEPNSJ-1T00 / SDEQNSJ-1T00
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
휴대용 기기 권장가
$999
—
폼팩터
M.2 2280
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4
NVMe 2.0
소비전력
정보 없음
Unknown (Idle) Unknown (Avg) 6.5 W (Max)
제조사
Samsung
Kioxia
모델명
V-NAND V7
BiCS6
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
ARM Cortex-R
코어 구성
듀얼 코어
—
동작 속도
650 MHz
—
파운드리
TSMC
—
제조 공정
12 nm
16 nm
플래시 채널
4 @ 1,600 MT/s
4 @ 2,400 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
HMB (enabled)
종류
없음
없음
적층 기술
176-layer
162-layer
속도
1600 MT/s
2400 MT/s
Toggle 규격
4.0
—
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
67 mm² (15.3 Gbit/mm²)
—
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit
—
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
1
2
워드라인
191 per NAND String 92.1% Vertical Efficiency
184 per NAND String 88.0% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
85 µs
—
프로그램 시간(tProg)
1600 µs
1057 µs
페이지 크기
16 KB
16 KB
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
64 MB
순차 읽기
4,900 MB/s
6,000 MB/s우세
순차 쓰기
4,500 MB/s
5,400 MB/s우세
랜덤 읽기
530,000 IOPS
750,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
950,000 IOPS우세
900,000 IOPS
쓰기 내구성
300 TBW
300 TBW
보증 기간
정보 없음
5 Years
SLC 쓰기 캐시
지원
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
AES-256
TCG Opal TCG Pyrite
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
용량 옵션
—
512 GB 1 TB 2 TB
다이 쓰기 속도
—
60 MB/s
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
—
0.2