SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
ASUS ROG Xbox Ally X RC73XA 1 TB (Samsung BM9H1)vsSamsung SM961 1 TB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
51우세
46
내구성
25
60우세
기능
77
83우세
효율
—
81
한눈에 보는 결론ASUS ROG Xbox Ally X RC73XA 1 TB (Samsung BM9H1)은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Samsung SM961 1 TB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 8 Tbit
1024 MB (1x 1024 MB)
오버프로비저닝
70.3 GB / 7.4 %
70.3 GB / 7.4 %
생산 상태
생산 중
단종
출시일
Nov 2025
Apr 15th, 2016
제품 번호
K9XVGY8J5C-CCK0
K9UUGY8SCM-DCK0
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
휴대용 기기 권장가
$999
—
폼팩터
M.2 2280
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4
NVMe 1.2
소비전력
정보 없음
Unknown (Idle) Unknown (Avg) 5.9 W (Max)
제조사
Samsung
Samsung
모델명
V-NAND V7
Samsung K4E8E304EE-EGCF
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
듀얼 코어
5-Core
동작 속도
650 MHz
—
파운드리
TSMC
Samsung
제조 공정
12 nm
28 nm
플래시 채널
4 @ 1,600 MT/s
8
칩 활성 수
4
8
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
LPDDR3-1866
적층 기술
176-layer
48-layer
속도
1600 MT/s
1000 MT/s
Toggle 규격
4.0
—
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
67 mm² (15.3 Gbit/mm²)
—
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit
16 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
4
2
다이당 데크 수
1
1
워드라인
191 per NAND String 92.1% Vertical Efficiency
—
읽기 지연시간(tR)
85 µs
—
프로그램 시간(tProg)
1600 µs
—
페이지 크기
16 KB
16 KB
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
—
순차 읽기
4,900 MB/s우세
3,200 MB/s
순차 쓰기
4,500 MB/s우세
1,800 MB/s
랜덤 읽기
530,000 IOPS우세
450,000 IOPS
랜덤 쓰기
950,000 IOPS우세
320,000 IOPS
쓰기 내구성
300 TBW
정보 없음
보증 기간
정보 없음
3 Years
SLC 쓰기 캐시
지원
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
AES-256
정보 없음
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
미지원
용량 옵션
—
512 GB 1 TB
출시 가격
—
512 USD
구성
—
8Gx32
평균 무고장 시간(MTBF)
—
1.5 Million Hours