SSD / 제품 정보
Samsung BM9H1 1 TB
Samsung BM9H1 1 TB는 용량 1 TB (1024 GB), 인터페이스 PCIe 4.0 x4, 순차 읽기 4,900 MB/s, 순차 쓰기 4,500 MB/s 사양을 갖춘 SSD입니다. 주요 규격과 성능, 내구성 정보를 한국어로 확인해 보세요.
핵심 사양
구매 전에 먼저 볼 정보
- 용량
- 1 TB (1024 GB)
- 폼팩터
- M.2 2280
- 인터페이스
- PCIe 4.0 x4
- 순차 읽기
- 4,900 MB/s
- 순차 쓰기
- 4,500 MB/s
- 쓰기 내구성
- 정보 없음
Samsung BM9H1 1 TB 핵심 결론
PCIe 4.0 x4 인터페이스 기반 제품이며, 공개된 사양을 기준으로 한 자체 평가는 59점입니다. 가격은 평가에 포함하지 않았고 실제 성능은 시스템 구성에 따라 달라질 수 있습니다.
동급 제품에서의 위치
같은 PCIE 4 소비자용 제품군과 비교했습니다. 비교 표본은 165개입니다.
동급 중앙값 7,000.0
동급 중앙값 5,800.0
호환성과 추천 대상
- 인터페이스: PCIe 4.0 x4
- 폼팩터: M.2 2280
- 낮은 PCIe 세대 슬롯에서도 작동할 수 있지만 최대 속도는 슬롯 규격에 제한됩니다.
- PS5 호환으로 표시된 제품입니다.
- 운영체제와 일반 프로그램 저장
- 장시간 대용량 파일을 반복해서 쓰는 전문 작업
- 별도 DRAM 캐시를 최우선으로 원하는 사용자
이 SSD를 어떻게 봐야 할까요?
- 순차 읽기 4,900 MB/s로 NVMe 기반 게임과 일반 작업에 충분한 성능입니다.
- 순차 쓰기 4,500 MB/s 사양으로 파일 복사 성능을 가늠할 수 있습니다.
- TRIM을 지원해 장기간 사용 시 저장장치 관리에 유리합니다.
- 보증 기간 정보가 없어 구매처 또는 제조사 확인이 필요합니다.
- 전원 손실 보호 기능을 지원하지 않는 것으로 표시됩니다.
- 게임용 PC와 빠른 부팅·앱 실행이 필요한 시스템
- PlayStation 5 저장공간 확장
인터페이스PCIe 4.0 x4 — SSD와 시스템이 데이터를 주고받는 연결 규격입니다.
NAND 정보176-layer — 데이터를 실제로 저장하는 플래시 메모리 구성입니다.
표시된 판단은 공개된 제품 사양을 규칙에 따라 정리한 참고 정보입니다. 데이터·평가 방법 보기
이 제품에 대해 궁금한 점
Samsung BM9H1 1 TB의 인터페이스는 무엇인가요?
PCIe 4.0 x4 규격을 사용합니다. 장착할 시스템이 같은 규격을 지원하는지 확인해야 합니다.
Samsung BM9H1 1 TB의 읽기 속도는 어느 정도인가요?
표기된 순차 읽기 속도는 4,900 MB/s입니다. 실제 속도는 시스템과 작업 유형에 따라 달라질 수 있습니다.
PlayStation 5에서 사용할 수 있나요?
수집된 사양에는 PS5 호환 제품으로 표시되어 있습니다. 장착 공간과 방열판 조건도 함께 확인하세요.
스펙매치 자체 점수는 어떻게 계산하나요?
가격을 제외하고 공개된 속도, 내구성, 기능, 소비전력 항목만 동일한 규칙으로 환산합니다. 누락된 항목은 점수 계산에서 제외합니다.
Samsung BM9H1 1 TB에 DRAM이 있나요?
별도 DRAM 대신 시스템 메모리를 활용하는 HMB 구성으로 표시되어 있습니다.
전체 사양
기본 정보
- 용량
- 1 TB (1024 GB)
- 오버프로비저닝
- 70.3 GB / 7.4 %
- 생산 상태
- 생산 중
- 출시일
- Mar 23rd, 2023
- 제품 번호
- MZVMA1T0HCLD
- 대상 시장
- 일반 소비자용
규격 및 연결
- 폼팩터
- M.2 2280
- 인터페이스
- PCIe 4.0 x4
- 프로토콜
- NVMe 1.4
- 소비전력
- 정보 없음
컨트롤러
- 제조사
- Silicon Motion
- 모델명
- SM2269XT
- 아키텍처
- ARM 32-bit Cortex-R8
- 코어 구성
- 듀얼 코어
- 동작 속도
- 650 MHz
- 파운드리
- TSMC
- 제조 공정
- 12 nm
- 플래시 채널
- 4 @ 1,600 MT/s
- 칩 활성 수
- 4
- 컨트롤러 기능
- HMB (enabled)
낸드 플래시
- 제조사
- Samsung
- 모델명
- V-NAND V7
- 제품 번호
- K9XVGY8J5C-CCK0
- 종류
- QLC
- 적층 기술
- 176-layer
- 속도
- 1600 MT/s
- 용량
- 1 chip @ 8 Tbit
- Toggle 규격
- 4.0
- 셀 구조
- Charge Trap
- 다이 면적
- 67 mm² (15.3 Gbit/mm²)
- 칩당 다이 수
- 8 dies @ 1 Tbit
- 다이당 플레인 수
- 4
- 다이당 데크 수
- 1
- 워드라인
- 191 per NAND String 92.1% Vertical Efficiency
- 읽기 지연시간(tR)
- 85 µs
- 프로그램 시간(tProg)
- 1600 µs
- 페이지 크기
- 16 KB
DRAM 캐시
- 종류
- 없음
- 호스트 메모리 버퍼(HMB)
- 64 MB
성능 및 내구성
- 순차 읽기
- 4,900 MB/s
- 순차 쓰기
- 4,500 MB/s
- 랜덤 읽기
- 530,000 IOPS
- 랜덤 쓰기
- 950,000 IOPS
- 쓰기 내구성
- 정보 없음
- 보증 기간
- 정보 없음
- SLC 쓰기 캐시
- 지원
지원 기능
- TRIM 지원
- 지원
- S.M.A.R.T. 지원
- 지원
- 전원 손실 보호
- 미지원
- 암호화
- AES-256
- RGB 조명
- 미지원
- PS5 호환
- 지원
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